Китайская Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), которая занимается производством микросхем флеш-памяти, совершила технологический прорыв в разработке многослойной памяти 3D NAND. Об этом сообщает газета South China Morning Post, ссылаясь на информацию от канадской исследовательской компании TechInsights.
Согласно имеющейся информации, в китайском твердотельном накопителе ZhiTai TiPro9000 была обнаружена новая 3D NAND-память Xtacking 4.0 от YMTC. Эта память состоит из 270 слоёв с двухуровневой структурой, где первый уровень содержит 150 затворов, а второй — 144 затвора, что в сумме даёт 294 затвора. Для этого применяется технология гибридного соединения двух пластин. Благодаря этому удалось повысить плотность записи до рекордных 20 Гбит на квадратный миллиметр площади.
Согласно South China Morning Post, YMTC достигла впечатляющих результатов несмотря на санкции США. До введения ограничений компания производила 232-слойную память, но затем перешла на 160-слойную. Сейчас же речь идёт о 270 слоях и рекордной плотности хранения данных.
По материалам:
4pda
