Категория: Память

Samsung уже проводит исследования, необходимые для создания памяти NAND с числом слоев более 500

Samsung планирует в 2020 году начать серийный выпуск и поставки кристаллов 128-слойной флеш-памяти TLC NAND плотностью 256 и 512 Гбит, в которых найдет применение технология V-NAND шестого поколения. Эти кристаллы… Подробнее »

Новые комплекты памяти G.Skill DDR4 для HEDT-платформ имеют объём до 256 Гбайт

Компания G.Skill International Enterprise представила новые наборы оперативной памяти стандарта DDR4, рассчитанные на высокопроизводительные настольные компьютеры (High-End DeskTop, HEDT). Анонсированы комплекты для систем топового уровня на аппаратных платформах Intel X299… Подробнее »

Team Group выпустила 32-Гбайт память DDR4-2400

Team Group объявила о выпуске своих первых 32-Гбайт модулей оперативной памяти Team Elite TED432G2400C1601. Модули используют простую чёрную печатную плату стандартной высоты 32 мм и поставляются без какой-либо системы охлаждения. Представленные… Подробнее »

Goke Microelectronics анонсировала SSD NVMe на основе памяти Toshiba XL-Flash

Goke Microelectronics, ведущая компания в отрасли поставщиков контроллеров для SSD и решений для хранения данных, представила серию накопителей NVMe с крайне малой латентностью на основе памяти Toshiba XL-Flash. Её презентовали в августе.Отмечается, что чипы Toshiba основаны на технологии 3D… Подробнее »

Yangtze Memory организовала массовый выпуск 64-слойной памяти 3D NAND

Китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) приступила к массовому производству 64-слойных микрочипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Об этом сообщает ресурс Digitimes, ссылаясь на отраслевые источники. Речь идёт об изделиях ёмкостью… Подробнее »