Innosilicon объявила о старте массового производства модулей памяти нового поколения LPDDR6. Модули способны передавать данные со скоростью 14,4 Гбит/с, что существенно превосходит показатели первых образцов LPDDR6 от Samsung (10,7 Гбит/с).
По сравнению с предыдущей версией LPDDR5X (9,6 Гбит/с), новая разработка демонстрирует полуторное увеличение скорости ввода-вывода, что существенно повышает общую эффективность системы. Технологическое совершенство LPDDR6 проявляется и в увеличении количества бит на байт ввода-вывода — с 8 до 12 бит.
Благодаря этим улучшениям, пропускная способность новой памяти при одноканальной 24-битной скорости вдвое превышает показатели предшественницы LPDDR5X с 16-битной одноканальной скоростью. Для обеспечения необходимого объёма производства компания наладила партнёрские отношения с TSMC и Samsung.
Выход Innosilicon на рынок LPDDR6 создаёт серьёзную конкуренцию ведущим производителям памяти — Samsung, SK Hynix и Micron, которые хотя и предлагают собственные решения LPDDR6, но пока не наращивают производственные мощности. Примечательно, что Innosilicon с самого начала разработки ориентировалась на максимально возможную по спецификации JEDEC скорость в 14,4 Гбит/с на контакт.
В свою очередь, Samsung представила версию LPDDR6 на 12-нм техпроцессе со скоростью 10,7 Гбит/с, сопоставимой с показателями LPDDR5X. Основным преимуществом своих модулей Samsung называет улучшенную энергоэффективность, которая, по заявлениям компании, на 21% выше, чем у предыдущих поколений.
Выбор конечными потребителями конкретной технологии IP будет зависеть от множества факторов, включая доступность готовых решений на рынке.
По материалам:
techpowerup
