Samsung Electronics объявила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 объёмом 512 ГБ, выполненного по технологии High-K Metal Gate (HKMG). Новая память более чем вдвое быстрее DDR4, потребляя при этом меньше энергии.
High-K Metal Gate (HKMG) представляет собой способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала, диэлектрическая проницаемость которого больше, чем у диоксида кремния. Эта технология с 2018 года используется для производства чипов GDDR6.
Благодаря использованию технологии межкремниевых соединений (TSV) память DDR5 от Samsung объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый, что обеспечивает максимальную ёмкость в 512 ГБ. По заверению компании, скорость передачи данных новой памяти достигает 7200 Мбит/с — вдвое больше в сравнении с DDR4. Кроме того, она потребляет на 13% меньше энергии.
Новая память ориентирована в первую очередь на суперкомпьютеры для решения задач, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением и анализом больших массивов данных. Сейчас Samsung тестирует новые модули вместе с разными клиентами.
