Разрыв с DRAM предыдущего поколения от Samsung внушительный, а с позапрошлым просто огромный — более чем в два раза
Компания Samsung объявила о том, её новая оперативная память (DRAM) типа LPDDR5X со скоростью 8,5 Гбит/с прошла валидацию на мобильных платформах Snapdragon от Qualcomm. Судя по всему, рекордной скорости удалось добиться во многом благодаря «оптимизации высокоскоростной сигнальной среды между процессором и памятью» — это позволило увеличить предыдущий рекорд в 7,5 Гбит/с, достигнутый в марте.
Для сравнения, предыдущая DRAM-память типа LPDDR5 от Samsung достигает 6,4 Гбит/с. По сравнению с ОЗУ типа LPDDR4X, которое используется во многих современных смартфонах, разница ещё существеннее — этот стандарт достигает скорости в 4,2 Гбит/с.
Впрочем, использование новейшей памяти не ограничится лишь одним типом устройств — быстрота, компактность и энергоэффективность нового стандарта пригодятся в том числе в гаджетах с задействованием искусственного интеллекта, а также устройствах, используемый для метавселенных.
Источник trashbox
