TSMC ведёт разработку инновационной технологии упаковки — она призвана стать альтернативой решению Intel EMIB (Multi‑die Interconnect Bridge). Источники, близкие к изданию The Information, отмечают, что из‑за популярности EMIB технология упаковки CoWoS («чип‑на‑пластине‑на‑подложке») от TSMC может лишиться части заказчиков. В связи с этим компания взялась за создание собственного EMIB‑подобного решения.
В проекте TSMC участвует тайваньский партнёр — компания Kinsus Interconnect Technology. Её специалисты помогут не только разработать новую технологию, но и обеспечить её масштабирование и запуск серийного производства.
Сейчас в линейке TSMC представлены три варианта технологии CoWoS: CoWoS‑S, CoWoS‑L и CoWoS‑R.
- CoWoS‑S — базовая версия технологии: в ней применяется монолитная кремниевая подложка, а межкристальные соединения обеспечивают максимальную плотность разводки и высокую производительность.
- CoWoS‑L — модификация с гибридным подходом: вместо сплошной кремниевой основы используется более экономичная органическая подложка, а кремниевые перемычки (LSI) размещаются точечно — только в зонах, где необходима высокоскоростная связь между кристаллами. Такой подход помогает преодолеть ограничения трафаретной печати при работе с крупными топологиями.
- CoWoS‑R — вариант, в котором кремний полностью заменён органическим медно‑полимерным межслойником. Хотя это несколько снижает плотность разводки и увеличивает затухание сигнала, технология выигрывает за счёт механической гибкости, лёгкости масштабирования и более низкой стоимости — она хорошо подходит для крупных чипов.
Портфель корпусированных решений Intel даёт разработчикам возможность комбинировать 2D‑, 2,5D‑ и 3D‑архитектурные блоки, чтобы оптимизировать итоговые параметры системы — в том числе стоимость, энергопотребление и пропускную способность.
Технология EMIB представляет собой кремниевый мост, интегрированный в подложку: он позволяет организовать плотную межкристальную разводку локально, избегая роста стоимости и увеличения площади, характерных для полноценных кремниевых переходных пластин. В частности, компактные EMIB‑мосты (например, EMIB‑M с MIM‑конденсаторами и EMIB‑T с TSV) дают экономичное решение для высокоплотных соединений и оптимально подходят для интерфейсов типа «логика‑логика» и «логика‑HBM».
По материалам:
techpowerup