Компания отмечает, что переход на 176-слойную память является радикальным прорывом, который обеспечит резкий рост производительности в широком спектре устройств для ЦОД, искусственного интеллекта и мобильного сегмента.
В компании отметили, что новая память предлагает на 40% больше, чем у ближайших конкурентов, а благодаря архитектуре КМОП-под-массивом, новая технология компании обеспечивает лидерство по стоимости.
По сравнению с прошлым поколением, 176-слойная память NAND от Micron обеспечивает меньшие задержки при чтении и записи более чем на 35%, по сравнению с прошлым поколением. При этом размер ядра на 30% меньше, чем у лучших конкурентных предложений.
Пятое поколение Micron 3D-NAND обеспечивает скорость передачи данных в 1600 МТ/с по интерфейсу Open NAND Flash Interface, что на 33% лучше, чем раньше. Это означает более быструю загрузку системы и работу приложений. А для автомобильных систем это означает практически мгновенную реакцию, сразу после включения двигателя.
Для упрощения разработки прошивки новая память компании обеспечивает однопоточный программируемый алгоритм, обеспечив более простую интеграцию и процесс выхода на рынок.
