SK Hynix запустила в серию новую оперативную память с интерфейсом HBM2(E) третьего поколения для высокопроизводительных серверов. Пропускная способность новинки превышает 460 ГБ/сек, что примерно на 12% больше по сравнению с конкурирующим решением Flashbolt компании Samsung.
Новый «рекордсмен»
Южнокорейская SK Hynix начала массовое производство оперативной памяти с высокой пропускной способностью стандарта High Bandwith Memory 2 (HBM2E).
Компания-разработчик называет новинку «самым скоростным решением на базе DRAM в отрасли», а также подчеркивает, что продукт был запущен в серию в рекордные сроки – с момента первого анонса старта разработки и до начала массового производства прошло 10 месяцев.
По данным официального сайта SK Hynix, новая память поддерживает пропускную способность свыше 460 ГБ/сек при наличии 1024-разрядной шины, каждая линия которой работает на скорости 3,6 Гбит/сек. Для сравнения: подобная пропускная способность в теории позволяет передавать 124 полнометражных фильма в формате FullHD (примерно 3,7 ГБ каждый) в секунду.
Технология TSV (Through Silicon Via) позволяет объединить в стеке до восьми микросхем емкостью 16 Гбит, то есть максимальный объем памяти HBM2E составляет 16 ГБ. Это вдвое больше по сравнению с технологией предыдущего поколения – HBM2.
SK Hynix также отмечает низкий уровень энергопотребления изделием, однако конкретных численных данных на этот счет не приводит.
Память с такими характеристиками, по мнению производителя, заинтересует разработчиков решений в сфере искусственного интеллекта, в том числе ускорителей глубокого машинного обучения, и высокопроизводительных вычислений. Кроме того, ожидается, что HBM2E-память пригодится при создании экзаскалярного суперкомпьютера или компьютера экcафлопсного уровня, который выведет на новый уровень научные и прикладные исследования, в том числе в сферах климатологии, биомедицины и изучения космоса.
Конкуренты Hynix
Помимо SK Hynix, производством HBM-памяти с 2016 г. занимается другая южнокорейская корпорация – Samsung. Первый HBM2-продукт Samsung выпускался под маркой Flarebolt. В начале 2018 г. свет увидел второе поколение восьмигигабайтной HBM2, выпущенной Samsung под брендом Aquabolt. Память обеспечивала в 9,6 раза более высокую производительность по сравнению с тогдашней производительностью DRAM (GDDR5).
Наконец, в марте 2019 г. Samsung анонсировала самую быструю на тот момент HBM2-память. Скорость передачи данных новинки под маркой Flashbolt составила 3,2 Гбит/с на контакт, что было на 33% быстрее памяти предыдущего поколения. Пропускная способность достигала 410 ГБ/с. Поставки Flashbolt начались в феврале 2020 г.
Американская Micron в марте 2020 г. сообщила о планах до конца года стать третьим производителем HBM.
Об интерфейсе HBM
HBM — это высокопроизводительный интерфейс оперативной памяти, разработку которого при поддержке Hynix в 2008 г. начала AMD. Массовое производство HBM-памяти началось на заводах Hynix в Ичхоне (Южная Корея) в 2015 г.
Первыми устройствами, оснащенными этой памятью, стали видеокарты AMD на базе чипов архитектуры Fuji, в частности R9 Fury X, R9 Fury и R9 Nano. Технология HBM схожа с конкурирующей разработкой компании Micron под названием Hybrid Memory Cube.
Благодаря особенностям архитектуры HBM обеспечивает высокую пропускную способность, а также низкий расход энергии при компактных размерах устройства, хотя и отличается высокой стоимостью.
В памяти HBM кристаллы DRAM расположены вертикально на крайне малом расстоянии друг от друга. Размещается эта конструкция непосредственно на чипе GPU или CPU. Средством соединения такой конструкции, напоминающей многослойный торт, с центральным или графическим процессором служит специальная кремниевая подложка или интерпозер. Несколько стеков («стопок») памяти HBM подключаются к ней вместе с процессором, и этот модуль соединяется со схемной платой.
Вторая версия HBM была стандартизирована в начале 2016 г. и чуть позднее Samsung начала производство памяти по данной технологии – новинка получила имя Flarebolt. В начале 2018 г. свет увидел второе поколение восьмигигабайтной HBM2, выпущенной Samsung под брендом Aquabolt. Память обеспечивала в 9,6 раза более высокую производительность по сравнению с тогдашней производительностью DRAM (GDDR5).
