SK hynix продемонстрировала первые в мире стеки памяти HBM3E объёмом 48 ГБ, состоящие из 16 кристаллов, что стало новым рекордом для архитектуры 16-Hi. На конференции SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор компании Квак Но Чун рассказал о стратегии SK hynix, нацеленной на превращение компании в поставщика широкого спектра решений на основе DRAM и NAND для искусственного интеллекта.
Квак Но-Чжун обратил внимание на то, что роль памяти значительно изменилась за последние десятилетия: от хранения данных на персональных компьютерах и смартфонах до поддержки работы облачных сервисов и социальных сетей. В будущем, с развитием искусственного интеллекта, память станет ещё более важной, способствуя появлению новых форм взаимодействия и творчества для пользователей. Концепция «Креативной памяти», предложенная SK hynix, основана на использовании полупроводников нового поколения, которые обеспечивают высокую производительность, необходимую для решения сложных задач.
Компания SK hynix активно внедряет инновации, создавая уникальные решения, не имеющие аналогов. Продукты категории Beyond Best, характеризующиеся высокой конкурентоспособностью и оптимальными инновациями, ориентированными на нужды ИИ-систем, были выбраны в качестве основы. В начале следующего года компания планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, демонстрируя свою готовность к использованию передовых достижений в сфере памяти для ИИ.
HBM3E с 16 слоями обеспечивает увеличение производительности на 18 % при обучении моделей ИИ и на 32 % при обработке данных по сравнению с решениями на основе 12 слоёв, сообщает SK hynix. Учитывая растущий спрос на ускорители ИИ для обработки данных, это решение позволит SK hynix укрепить свои позиции на рынке памяти для ИИ. Для массового производства HBM3E с 16 слоями будет использоваться усовершенствованная технология Advanced MR-MUF, ранее успешно применявшаяся для решений на основе 12 слоёв.
Помимо HBM3E, SK hynix работает над проектами для других отраслей, включая модули LPCAMM2 для компьютеров и дата-центров, а также энергоэффективные типы памяти LPDDR5 и LPDDR6, созданные с использованием технологии 1c. Компания также планирует интегрировать логические элементы в основной кристалл памяти HBM4, что станет возможным благодаря сотрудничеству с одним из ведущих разработчиков логических полупроводников. Это позволит SK hynix создавать индивидуальные HBM-решения, соответствующие конкретным требованиям заказчиков по объёму, пропускной способности и функциональным особенностям.
В связи с увеличением потребностей ИИ-систем в большем объёме памяти, SK hynix создаёт решения на базе CXL-сетей, которые позволят интегрировать разные виды памяти в высокоёмкие массивы. Также компания разрабатывает eSSD с очень большой вместимостью, что обеспечит эффективное хранение больших объёмов данных на ограниченной площади с оптимальным потреблением энергии.
Стремясь преодолеть проблему, известную как «барьер памяти», компания SK hynix разрабатывает технологии со встроенными вычислительными возможностями. Решения Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage позволят обрабатывать огромные объёмы данных, сокращая задержки и повышая пропускную способность. Эти инновации откроют новые горизонты для ИИ-систем нового поколения, обеспечивая выполнение ресурсоёмких задач с минимальными задержками.
По материалам:
3dnews
