Компания «Микрон» представила 128-гигабайтный модуль регистровой серверной памяти (RDIMM), работающий на скоростях до 8000 МТ/с. Модуль построен на базе 32-гигабайтной монолитной микросхемы DDR5 и изготовлен по современному технологическому процессу 1 beta (1 бета). Массовое производство этих модулей DRAM начнется в следующем году. Компания также рассказала о своих планах на будущее.
По данным компании, технология, используемая для производства 32-гигабитных монолитных кристаллов памяти DDR5, обладает рядом преимуществ по сравнению с конкурирующей технологией 3DS с кремниевыми сквозными отверстиями (TSV). В результате новые чипы будут иметь более чем на 45% более высокую плотность битов, на 24% более высокую энергоэффективность, на 16% более низкую задержку и на 28% более высокую эффективность при решении задач обучения искусственного интеллекта. Переход на 3DS TSV позволил «Микрону» лучше оптимизировать буферы ввода данных и критические цепи ввода/вывода, а также уменьшить емкость выводов линий данных.
В прошлом «Микрон» удваивал плотность монолитных кристаллов памяти примерно каждые три года. По мере дальнейшего развития технологии компания планирует перейти на 48-гигабитные и 64-гигабитные кристаллы монолитной памяти и рассчитывает выпускать модули памяти емкостью 1 Тбайт.
Компания анонсировала модули памяти RDMIMM DDR5-8000 с 32-гигабитными микросхемами памяти по техпроцессу 1β и обновила планы по выпуску будущих продуктов. С середины 2024 года компания планирует начать массовое производство 16- и 24-гигабитных микросхем памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигабит в секунду).
С 2024 г. компания планирует начать выпуск модулей памяти RDIMM, MCRDIMM и CXL емкостью от 128 до 256 Гбайт, а к 2026 г. — более 256 Гбайт. Кроме того, с 2026 г. будут доступны энергоэффективные модули памяти LPCAMM2 емкостью до 192 Гбайт со скоростью до 9600 МТ/с. Ожидается, что пропускная способность нового поколения высокопроизводительной памяти составит от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек, а емкость — от 36 до 64 Гбайт. Ожидается, что пропускная способность нового поколения высокопроизводительной памяти составит от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек, а емкость — от 36 Гбайт до 64 Гбайт.
Источник 3dnews
