Samsung Electronics показала свою самую ёмкую в отрасли 12-нм память DDR5 32 Гбайт, которая по словам компании, идеально подходит для современных высокопроизводительных вычислений с использованием искусственного интеллекта и поддержкой технологий машинного обучения.
До этого Samsung не могла выпускать чипы DDR5 объемом 32 Гб на одном кристалле. Новые микросхемы с более плотной компоновкой снизят энергопотребление и откроют путь к возможности производства наиболее перспективных десктопных модулей памяти в 64 Гб, а серверных моделей даже вплоть до 1 Тб. Однако данный анонс не означает немедленный запуск в массовое производство чипов объемом 32 Гб. Компания обещает начать их выпуск только в конце текущего года.
Также семейства 12-нанометровой памяти DDR5 DRAM предложит скорость до 7,2 Гбит/с, снизит энергопотребление на 23% и повысит количество транзисторов на одной пластине на 20% по сравнению с предыдущим поколением.
SK Hynix и Micron пока предлагают микросхемы DDR5 объемом только 24 Гб, так что и здесь Samsung на данный момент оказывается на шаг впереди, увеличивая емкость своих DDR5 на 8 Гб, благодаря более плотной упаковке. Однако Micron также подтвердила работу над чипами DDR5 объемом 32 Гб правда пока только в своей дорожной карте.
Источник overclockers
