Компания Samsung сообщила о старте массового производства чипов флеш-памяти 3D V-NAND TLC нового, 8-го поколения, пишет портал Tom’s Hardware. Новые микросхемы имеют ёмкость 1 Тбит (128 Гбайт) и, предположительно, состоят из 236 слоём, хотя сама Samsung не уточняет данный аспект. Производитель лишь называет новинки флеш-памятью с самой высокой плотностью битов в отрасли.
Источник изображения: Samsung
Микросхемы флеш-памяти Samsung 3D V-NAND TLC 8-го поколения способны обеспечить скорость передачи на уровне 2400 МТ/с и в сочетании с передовыми контроллерами могут использоваться в составе потребительских твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe 5.0. По словам Samsung, такие SSD =предложат скорость передачи данных свыше 12,4 Гбайт/с.
Samsung утверждает, что использование новой технологии производства позволило получать больше памяти с одной кремниевой пластины — прирост составил 20 % по сравнению с выпускаемыми ранее микросхемами флэш-памяти той же ёмкости. В конечном итоге это позволит снизить производственные затраты, и потенциально может означать более дешёвые твердотельные накопители для потребителей.
Подробности архитектуры новых чипов 3D V-NAND TLC 8-го поколения компания не раскрывает. Как пишет портал Tom’s Hardware, как и другие производители, Samsung получает память с более чем 200 слоями путём укладки друг на друга 128-слойных кристаллов. В процессе «притирки» часть слоёв теряется, что не позволяет добиться идеала в виде 256-слойных микросхем 3D NAND, но никто не мешает к нему стремиться. Так ранее в этом году Micron представила чипы 3D NAND с 232 слоями, а SK hynix — с 238 слоями.
О первых продуктах на базе новых чипов флеш-памяти Samsung пока тоже ничего не говорит.
Источник 3dnews
