Кремний, как полупроводник, нашёл широкое применение в производстве микросхем. Он используется уже несколько десятилетий, но это не может длиться вечно.
Кремниевые транзисторы приближаются к теоретически минимальному размеру, и им нужна замена. Одной из таких альтернатив стало вещество арсенид индия-галлия (InGaAs). Его предлагается применять для создания микросхем с транзисторами меньшего, чем доступно сейчас, размера. К тому же эти чипы будут более энергоэффективными. Об этом сообщается в исследовании Массачусетского института технологий.
Ранее учёные сталкивалась с проблемой, при которой с уменьшением масштаба транзистора, изготовленного из InGaAs, резко падала производительность. Проблема заключается в феномене под названием «оксидная ловушка». Её суть состоит в том, что электроны застревают при прохождении через транзистор.
Исследователи решили изучить влияние частоты транзистора на снижение его производительность, и нашли частоту, при которой электроны беспрепятственно проходят по транзистору. Оказалось, что производительность наномасштабных транзисторов InGaAs деградирует на низких частотах, однако на частоте 1 ГГц и выше они работают без каких-либо проблем.
Автор исследования, Сяовеи Цай отметил: «Когда мы работаем с этими устройствами на действительно высокой частоте, мы замечаем, что производительность действительно хороша. Она находится на одном уровне с кремниевой технологией».
