Samsung уже проводит исследования, необходимые для создания памяти NAND с числом слоев более 500

Samsung планирует в 2020 году начать серийный выпуск и поставки кристаллов 128-слойной флеш-памяти TLC NAND плотностью 256 и 512 Гбит, в которых найдет применение технология V-NAND шестого поколения. Эти кристаллы будут поддерживать скорость передачи данных до 1200 Мбит/с.

Южнокорейский производитель уже начал исследования, необходимые для выпуска памяти V-NAND с числом слоев более 500.

В дополнение к SSD для облачных серверов SS17 PM1733 с интерфейсом PCIe Gen4, демонстрирующим скорость последовательного чтения 6400 МБ/с и скорость последовательной записи 3800 МБ/с, компания Samsung представила модель объемом 30,72 ТБ, для повышения надежности оснащенную двойным контроллером. Кроме того, твердотельные накопители серии PM1735 будут доступны в форм-факторах U.2 и HHHL. Samsung также продолжает разработку твердотельных накопителей с интерфейсом SAS, поддерживающих горячую замену. Модель PM1653 (SAS4) с двумя портами развивает скорость последовательного чтения до 4000 МБ/с и скорость последовательной записи до 3800 МБ/с.


Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *