Ученые из Университета Фудань создали инновационную флеш-память PoX, которая демонстрирует впечатляющую скорость записи – всего 400 пикосекунд на один бит информации (0,0000000004 секунды). Такая производительность позволяет выполнять около 25 миллиардов операций ежесекундно. Это первое решение, которое позволило сравнять показатели скорости энергонезависимых чипов с характеристиками традиционной оперативной памяти типов SRAM и DRAM.
В ходе разработки новой флеш-памяти китайские специалисты отказались от классической кремниевой технологии и внедрили инновационную двумерную структуру, основанную на графене Дирака. Ключевой особенностью этой структуры является способность к баллистическому переносу заряда, что существенно повышает эффективность работы памяти. В создании этой технологии значительную помощь оказал искусственный интеллект.
Принцип баллистического переноса заряда заключается в том, что электроны перемещаются по материалу без каких-либо препятствий, не сталкиваясь с примесями, атомами кристаллической решетки или другими электронами. Это обеспечивает максимально быстрый и эффективный процесс передачи данных.
Потенциально память PoX может стать заменой SRAM-кэшей в чипах искусственного интеллекта, что позволит существенно уменьшить энергопотребление и размеры микросхем. Практическое применение такой технологии обещает революционные изменения в сфере электроники: мгновенное включение мобильных устройств и компьютеров, а также возможность хранения всего объема необходимых данных в постоянной оперативной памяти при работе с базами данных.
