На технологической конференции в марте компания Samsung Electronics заявила, что планирует начать массовое производство трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, воодушевлённая успехами в области создания HBM, недавно сообщила, что при экспериментальном производстве 3D DRAM получает 56% годной продукции.
Стоит напомнить, что используемая в секторе высокоскоростных вычислений память HBM имеет компоновку 2.5D. Трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработкой которой занимаются три ведущих производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology.
Согласно информации Business Korea, компания SK hynix сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти 3D DRAM на симпозиуме VLSI 2024. Компания уже выпускает пятислойные микросхемы с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что является хорошим показателем для раннего этапа производства новых полупроводниковых устройств. Отмечается, что характеристики опытных образцов 3D DRAM не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой.
Необходимо проделать дополнительную работу для массового производства 3D DRAM. Представители SK hynix сообщают, что имеющиеся образцы этой памяти не обладают стабильным быстродействием, однако можно ожидать создания микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 для массового производства.
По материалам:
3dnews
