Российские исследователи разработали платформу для внедрения мемристорных элементов в производство кремниевых микросхем. Это позволит начать изготовление мемристорной памяти типа RRAM, сообщили в пресс-службе Национального центра физики и математики.
«Учёные разработали и реализовали топологию интегральной схемы для производства в России прототипа чипа перспективной энгергонезависимой памяти RRAM на основе сочетания традиционной кремниевой технологии в части управляющих схем и новых технологий хранения информации, разработанных в рамках научной программы НЦФМ», — говорится в заявлении.
Мемристорная память RRAM сочетает в себе преимущества оперативной и флэш-памяти, она энергонезависима и может сохранять информацию даже при отсутствии питания. Запись данных в мемристор (переключение из закрытого состояния в открытое) занимает всего 30-40 наносекунд, что примерно в 1000 раз быстрее, чем в современных флэш-накопителях.
Российские ученые разработали новый метод использования верхних слоев металлизации в стандартных кремниевых микросхемах для внедрения мемристоров — специальных резисторов с памятью. Их особенность заключается в том, что величина их электрического сопротивления зависит от длительности прохождения через них электрического тока.
Эта особенность позволяет ученым использовать мемристоры для создания искусственных аналогов нервных клеток, а также для создания быстрой и энергоэффективной памяти. По словам авторов разработки, эта технология может помочь в ближайшем будущем начать производство таких запоминающих устройств в стране.
trashbox
