Micron объявила о начале серийного производства новейшей памяти HBM3E с емкостью модуля 24 ГБ для ИИ-ускорителей NVIDIA H200. Эти устройства будут доступны для коммерческого использования во втором квартале этого года.
Микросхемы памяти Micron HBM3E представляют собой 8-слойные стеки, обеспечивающие скорость передачи данных свыше 9,2 Гбит/сек на контакт и общую пропускную способность свыше 1,2 ТБ/сек. Они также отличаются на 30% более низким энергопотреблением по сравнению с аналогичными решениями других производителей.
Micron акцентирует внимание на том, что микросхемы HBM3E объемом 24 ГБ позволяют дата-центрам без проблем масштабировать различные задачи ИИ — от обучения сложных нейросетей до ускорения процессов инференса (выполнения задач искусственного интеллекта). Данные изделия производятся с использованием самой передовой технологии компании — 1β. Кроме того, используются другие современные методы компоновки чипов, в том числе усовершенствованная технология сквозных соединений (Through-Silicon Via) TSV.
Компания Micron также объявила, что начнет поставлять образцы микросхем HBM3E емкостью 36 ГБ в марте этого года. Эти чипы, как и микросхемы объемом 24 ГБ, будут обеспечивать пропускную способность более 1,2 ТБ/с при высоком уровне энергоэффективности.
По материалам servernews
