Заявление Micron последовало за производителями памяти, которые объявили о сокращении производства, чтобы предотвратить дальнейшее падение цен на микросхемы флэш-памяти DRAM и NAND.
Производитель памяти Micron заявил, что в течение следующих двух десятилетий потратит до 100 миллиардов долларов на строительство завода в Клэе, штат Нью-Йорк. К концу этого десятилетия первый этап инвестиций составит 20 миллиардов долларов.
Micron ожидает, что мегафабрика в конечном итоге будет состоять из четырех помещений площадью 55 740 квадратных метров, что в общей сложности составит 223 тысячи квадратных метров площади. Micron также ожидает, что его завод создаст около 50 000 рабочих мест в Нью-Йорке, из которых 9 000 будут «высокооплачиваемыми».
«Этот завод в центре Нью-Йорка принесет пользу не только полупроводниковой промышленности, укрепив технологическое лидерство США, а также экономическую и национальную безопасность, стимулируя инновации и конкурентоспособность Америки на десятилетия вперед», — сказал президент и главный исполнительный директор Micron Санджай Мехротра.
По этому проекту, Micron получит 5,5 миллиардов долларов в качестве помощи от штата Нью-Йорк в виде федеральных грантов и налоговых льгот.
Интересно, что заявление Micron последовало за производителями памяти, которые объявили о сокращении производства, чтобы предотвратить дальнейшее падение цен на микросхемы флэш-памяти DRAM и NAND. Буквально в прошлом месяце Micron сообщила, что «капиталовложения в оборудование для производства пластин сократились почти на 50%» по сравнению с прошлым годом.
Тем не менее, мегафабрика Micron — это долгосрочная инвестиция. В долгосрочной перспективе Micron ставит перед собой задачу увеличить внутренние поставки передовой памяти. По словам Micron, этот завод сыграет большую роль в увеличении производства передовой DRAM до 40 процентов от мирового объема производства в течение следующего десятилетия.
Источник overclockers
