Тайваньская компания TSMC планирует освоить модернизированный 2-нм техпроцесс в самое ближайшее время и перейти на массовый выпуск процессоров по новых технормам уже к 2023 году. В основе будущей производственной технологии будет применяться новая технология производства транзисторов GAA-FET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor), которая придет на смену нынешней технологии FinFET.
Согласно последним данным, в TSMC уже сейчас освоено массовое производство SoC на базе 5-нм техпроцесса и заканчивается освоение техпроцесса 3-нм.
Отказ от сохранения нынешней технологии FinFET при переходе на новые технормы и ее замена на технологию GAA-FET объясняется наличием потенциальных узких мест, которые способны затормозить в будущем практическое освоение техпроцесса 3 нм.
Прежде всего, в компании опасаются, что попытка внедрения 3 нм норм на базе технологии Fin-FET приведет к серьезному тепловому рассеиванию. Уменьшение толщины слоев может отразиться на снижении подвижности электронов и нарастанию утечки. С другой стороны, GAA-FET предоставляет больше возможностей для управления электронными потоками и ведет к снижению утечки. Секрет отличий кроется в том, что в GAA-FET полупроводниковые вентили располагаются со всех сторон от канала, тогда как в FinFET их положения ограничены.
Ранее сообщалось, что официально TSMC уже объявила в прошлом году об открытии первого в мире Центра исследований и разработок в Синьчжу, Тайвань. Там ведутся исследования по развитию технологии 2-нм.
Первой моделью, выпускаемой TSMC по технормам 5 нм, стал процессор Qualcomm Snapdragon 875 SoC. Он активно используется в серийных изделиях.
Компания Samsung, выступающая конкурентом TSMC, также объявила недавно о переориентации на использование GAA-FET и пропуске этапа внедрения техпроцесса 4 нм. Компания собирается сейчас развивать технологию на нормах 3 нм и планирует не отставать от TSMC.
