Samsung Electronics продемонстрировала кремниевую пластину, изготовленную по технологии 3-нм

Корейский новостной портал news.mtn.co.kr сообщает, что компания Samsung Electronics представила на выставке Nano Korea кремниевую пластину, изготовленную по технологии 3-нм. Это первый раз, когда 3-нм пластина предстает перед публикой.

Представленная компанией пластина выполнена по GAA (Gate-All-Around) технологии с горизонтальным расположением каналов и опоясывающим затвором, которая позволяет преодолеть ограничения, возникающие в процессе уменьшения полупроводников, к которым относится и рост токов утечки. Это транзисторная структура следующего поколения, которая является следующим шагом эволюции после структуры FinFET, используемой в современных полупроводниках.

По сравнению с 5-нм процессом, который в настоящее время находится в стадии разработки, 3-нм процесс может уменьшить площадь микросхемы более чем на 35% и снизить энергопотребление на 50%. Производительность также может быть улучшена примерно на 30%.

В настоящее время только Samsung Electronics и TSMC готовы к производству пластин по 5-нм и более тонкому техпроцессу. Samsung Electronics и TSMC активно конкурируют, чтобы занять рынок 3-нм. Стоит отметить, что TSMC продолжит использовать в 3-нм производстве транзисторы типа FinFET, поэтому у Samsung Electronics, если компания не опоздает с запуском производства, есть шансы получить больше заказов за счет более эффективной технологии производства и обойти TSMC.

Пластину можно увидеть в видео-материале на странице оригинальной новости.

Источник


Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *