Институт ядерной физики СО РАН в Новосибирске разработал аппарат для производства мощных ионных имплантеров, применяемых в микроэлектронике. Это первое подобное устройство в России, созданное отечественными специалистами. Оно способствует развитию электронной промышленности и укреплению независимости страны в этой сфере.
В последние годы мировая микроэлектронная промышленность активно развивается благодаря имплантерным технологиям. Эти технологии позволяют внедрять различные легирующие добавки в поверхность кремниевых пластин, например бор, фтор или мышьяк. Такие добавки используются для получения структур с заданными свойствами. Установки, которые выполняют этот процесс, называются ионными имплантерами.
«Специалисты Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (ИЯФ СО РАН) создали прототип каспового, то есть имеющего остроконечную структуру магнитного поля, ионного источника. Первые эксперименты показали, что устройство действительно позволяет работать с ленточными ионными пучками любой ширины, что обеспечивает качественное нанесение примесей, и подходит для создания сильноточных имплантеров необходимых в микроэлектронике», — сообщили в пресс-службе ИЯФ.
Специально созданная в 2024 году группа учёных разработала ионно-оптическую систему для создания ленточного пучка ионов. Впоследствии авторы проекта сообщили, что изначально они хотели определить, способен ли такой источник равномерно испускать электроны с поверхности твёрдого тела при бомбардировке ионами.
«Для такого измерения мы разработали и изготовили измерительное устройство, профилометр, и провели измерение с пучком ионов аргона. При этом были исследованы различные режимы работы источника. Получен прекрасный результат: эмиссия вдоль щели равномерна, и это открывает возможность разработки такого источника с любой шириной ленточного пучка. Направление дальнейшей разработки каспового источника зависит от конкретных требуемых параметров ионного пучка», — пояснил разработчик Сергей Константинов.
По материалам:
trashbox
