В корпоративном блоге Intel на этой неделе была размещена статья со встроенной презентацией, которую производственный отдел компании подготовил для мероприятия VLSI Symposium. В статье представлена информация, интересная для специалистов в области микроэлектроники, и рассказывается о преимуществах различных версий технологического процесса Intel 3.
Вице-президент Intel по разработке технологий для контрактного подразделения, Валид Хафез, выступил с докладом на эту тему и подчеркнул, что переход на технологические процессы семейства Intel 3 является ключевым моментом для компании в рамках выполнения плана 5N4Y, согласно которому планируется внедрить пять новых технологических процессов в течение четырёх лет, начиная с 2021 года.
В конце прошлого года первый вариант технологического процесса Intel 3 достиг стадии готовности к массовому производству. В настоящее время он применяется для изготовления продукции на экспериментальной линии в штате Орегон и на предприятии Intel в Ирландии. Благодаря этому процессу компания будет производить не только компоненты собственных серверных процессоров Xeon 6 семейства Sierra Forest, но и чипы для сторонних заказчиков.
В семействе Intel 3 представлено сразу четыре варианта технологического процесса, предназначенных для разных этапов производства компонентов различного назначения. Intel 3-T отличается от базового Intel 3 использованием межслойных соединений, позволяющих реализовать сложную пространственную компоновку чипов, включая размещение микросхем памяти на кристалле с вычислительными ядрами. Технологические процессы Intel 3 и Intel 3-T будут применяться для производства компонентов в серверном и потребительском сегментах, а также подложек многокристальных чипов. По сравнению с технологией Intel 4, они обеспечивают улучшение соотношения производительности и энергопотребления на 18 % на уровне всего процессорного ядра и увеличение плотности размещения транзисторов на 10 %.
Техпроцесс Intel 3-E предоставляет дополнительные возможности для интеграции с различными интерфейсами, включая аналоговые и смешанные. Он предназначен для производства чипсетов и компонентов систем хранения данных. Разновидность Intel 3-PT объединяет преимущества трёх предыдущих процессов в рамках одних технологических норм. Расстояние между слоями уменьшится до 9 микрометров, а для соединения разнородных кристаллов в одной упаковке будут использоваться гибридные методы. Это позволит повысить плотность упаковки чипов в трёхмерном формате. Как и все техпроцессы этого семейства, Intel 3-PT использует структуру транзисторов FinFET. С её помощью создаются как процессоры общего назначения, так и чипы для ускорителей вычислений с более сложной структурой и высокой производительностью. Инструменты разработки, совместимые с техпроцессами семейства Intel 3, используют библиотеки с нормами 240 нм для создания высокопроизводительных чипов и библиотеки с нормами проектирования 210 нм для увеличения плотности размещения транзисторов.
В рамках технологического процесса Intel 20A компания планирует внедрить новую структуру транзисторов RibbonFET и технологию подачи питания на обратную сторону кремниевой пластины PowerVia. Intel подробнее расскажет об этих инновациях в будущем.
По материалам:
3dnews
