Intel представила планы по разработке пяти передовых технологий за четыре года, опережая конкурентов из Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) и Samsung. Она уже разработала свои 2-нм и 1.8-нм технологии и планирует использовать их для массового производства со второй половины 2024 года. По словам генерального директора Пэта Гелсингера, технология Intel 1.8A “немного опережает” технологию TSMC 2N, которая запланирована только на второе полугодие 2025 года.
Техпроцессы 20A и 18A включают в себя два новшества: полевые транзисторы с круговым затвором (GAA) и PowerVia, подачу напряжения на полупроводник с обратной стороны. Intel 20A будет использоваться для изучения этих инноваций, в то время как Intel 18A будет служить “технологическим трамплином” для восстановления лидерства Intel в полупроводниковой отрасли. Intel планирует внедрить техпроцесс 18A в своих фабриках в первом квартале 2024 года и первые продукты на его основе станут доступны во втором полугодии 2024 года.
TSMC планирует запустить массовое производство по 2-нм техпроцессу N2 только во второй половине 2025 года. N2 будет использовать транзисторы GAA, но схема подачи питания на кристалле останется традиционной, в отличие от Intel. TSMC утверждает, что ее улучшенная технология N3P, запланированная на 2024 год, может обеспечить сопоставимые с Intel 18A характеристики по мощности, производительности и плотности транзисторов. Тем не менее, N2 должна превзойти как N3P, так и Intel 18A.
Гелсингер не согласен с этим утверждением. Он уверен, что Intel 18A будет значительно превосходить TSMC N2 по производительности и энергоэффективности. Гелсингер также предполагает, что внедрение N2 может в конечном итоге обойтись TSMC значительно дороже, что дает техпроцессам Intel ощутимое конкурентное преимущество.
Источник 3dnews
