В РФ разработали способ получения инновационного материала для микросхем будущего, устойчивых к высоким температурам и радиации. Технология получилась дешевле, чем аналоги зарубежных разработчиков.
Как сообщает ТАСС, специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН придумали оригинальное решение задачи создания покрытия из карбида кремния. При использовании в микросхемах этот материал надежнее просто кремния, используемого традиционно.
Аналогичные технологии западного образца подразумевают нанесение тончайшей пленки карбида кремния на кремниевое основание. В основании должна быть удалена часть атомов, чтобы пленка крепко держалась за эти «неровности».
Отечественные ученые изобрели альтернативный метод – «креплениями» служат атомы углерода, вкрапленные вместо атомов кремния в подложку без разрушения ее кристаллической структуры. Обработка происходит при помощи обычного угарного газа.
Такие микросхемы, выдерживающие температуры до 300 градусов и радиацию, могут пригодиться в космосе, атомной энергетике, квантовых компьютерах и инновационных медицинских приборах.
Источник vesti
