В рамках специального мероприятия Samsung Foundry Forum южнокорейская фирма раскрыла планы по развитию полупроводниковых технологий. Компания также объявила о расширении производственных мощностей и сроках перехода на 3-, 2- и даже 1,4-нанометровый техпроцесс.
По заверениям Samsung, в связи с повышенным спросом на высокопроизводительные вычисления, технологии искусственного интеллекта и развитием технологий 5G/6G, резко выросла потребность в усовершенствовании полупроводниковой сферы. Поэтому компания объявила о намерении освоить и внедрить в массовое производство свой самый передовой технологический процесс — 1,4-нанометровый — в 2027 году.
Судя по представленному графику и объявленным планам, до запуска в производство 1,4-нанометровых чипов Samsung намерена освоить 2-нм техпроцесс (это случится 2025 году). Вместе с тем было объявлено, что компания нацелена на начало массового производства чипов по технологии 3D X-Cube с микровыступами, где SRAM устанавливается поверх логической матрицы, в 2024-м, а к 2026-му наладить выпуск более продвинутых решений вообще без выступов.
По оценкам Samsung, к 2027 году доля высокопроизводительных вычислений, автомобильной промышленности и сетей 5G превысит 50%. Так, сейчас компания предлагает партнёрам в автомобильной сфере решения со встроенной энергонезависимой памятью (eNVM) на основе 28-нм техпроцесса, но уже к 2024-му она намерена выпустить 14-нм решения, а в перспективе — 8-нанометровые. В разработке также находятся 5-нм решения.
Наконец, Samsung собирается к 2027 году увеличить свои производственные мощности для выпуска передовых полупроводников в три раза.
Источник 4pda
